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基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝

簡要描述:基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝:JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用而優(yōu)化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠為工業(yè)應(yīng)用提供長期穩(wěn)定的輻射輸出,用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測過程氣體及相關(guān)氣體。帶有標(biāo)準(zhǔn)TO封裝和蓋子的包裝版本適合測量距離長達(dá)2厘米。

  • 產(chǎn)品品牌:Micro-Hybrid
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-09-25
  • 訪  問  量:388

詳細(xì)介紹

品牌Micro-Hybrid應(yīng)用領(lǐng)域綜合

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝 

描述

JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用而優(yōu)化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠為工業(yè)應(yīng)用提供長期穩(wěn)定的輻射輸出,用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測過程氣體及相關(guān)氣體。帶有標(biāo)準(zhǔn)TO封裝和蓋子的包裝版本適合測量距離長達(dá)2厘米。

我們紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個多層熱板膜片,內(nèi)含一個高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射器芯片的有效面積為2.2 x 2.2平方毫米,基于硅襯底并采用背刻蝕膜技術(shù)。所有薄膜工藝均采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環(huán)境影響。

應(yīng)用

lNDIR氣體檢測

l衰減全反射光譜法

l直接紅外光譜法

l光聲光譜法

目標(biāo)氣體

l二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨氣、二氧化硫、六氟化硫以及成熟氣體如乙烯(C2H4)和乙炔(C2H2)

特點

l由于芯片膜片的低熱質(zhì)量,時間常數(shù)為11毫秒

l高膜片溫度高達(dá)770°C,有效芯片面積為2.2 x 2.2平方毫米

l長期穩(wěn)定的芯片結(jié)構(gòu)

l光譜帶寬從2到15微米

lCMOSI芯片技術(shù)

技術(shù)參數(shù)

技術(shù)參數(shù)

單位

光譜輸出范圍

2 ... 15

μm

有效面積

2.2 x 2.2

mm2

耐熱1

18 ± 5

Ω

溫度系數(shù)2

1100

ppm/K

時間常數(shù)0-63%

11

ms

標(biāo)稱功耗3

650

mW

工作電壓4

3.4

mV

工作電流4

190

mA

推薦驅(qū)動模式

Power mode

活動區(qū)域溫度1,5,7

540 ± 30

°C

外殼

TO39

預(yù)計使用壽命6,8

> 5000 h at 770 °C;

> 100000 h at 540 °C

最大輸入功率

1200

mW

外殼最高溫度8

185

°C

活動區(qū)域最高溫度

770

°C

1. 在額定功率下

2. 25°C - 770°C

3. 在通電狀態(tài)下

4. 帶有18Ω熱電阻

5. 環(huán)境溫度為25°C時

6. 連續(xù)模式下,平均排除故障時間(膜片破裂)為63%,計算值基于阿倫尼烏斯方程

7. 通過紅外相機(jī)測量(0.7 - 1.1微米),熱點溫度降低10%的平均溫度分布

8. 包括環(huán)境溫度

典型操作特性

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝 

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝 

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝 

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝 

 

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝 

電氣示意圖

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝 

電路

等效電路圖

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝 

機(jī)械制圖

底部

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝 

截面圖

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO39封裝 

 

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